Prehľad produktov
Zariadenie na odizolovanie fotorezistu je plne-automatické zariadenie na mokré{1}}spracovanie určené na odizolovanie fotorezistu a aplikácie-odtrhnutia kovu v polovodičovom priemysle.
Zariadenie je vybavené namáčacími, odstraňovacími a čistiacimi{0}}suchými komorami a dokončuje celý pracovný postup vrátane rozpustenia fotorezistu chemickým namáčaním, odstraňovania kovu a fotorezistu, oplachovania a sušenia plátku, pri ktorom prebieha sušenie-za sucha{2}}. Je kompatibilný s viacerými podkladovými materiálmi, ako je Si, sklo, zafír, GaAs, InP, GaN, SiC, LT a LN. Stripovacia kvapalina môže byť recyklovaná prostredníctvom viacstupňového filtračného systému. Voliteľné konfigurácie komôr (1-2 namáčanie, 1-2 odstraňovač, 1-2 čistenie) spĺňajú požiadavky laboratórneho výskumu a vývoja, ako aj požiadavky na veľkoobjemovú sériovú výrobu.
Výhody
Plne-automatické sušenie-pri sušení-
Automatický prenos plátku a úplné{0}}spustenie procesu bez manuálneho zásahu. Všetky kroky odizolovania, zdvihnutia{2}}, čistenia a sušenia sa dokončia vo vnútri nástroja, aby sa zabránilo sekundárnej kontaminácii plátku.
Spoľahlivý výkon procesu
Miera odstraňovania kovu>99% a miera odstraňovania fotorezistu>99%. Výkon častíc dosahuje menej alebo rovný 20ea@0.2μm, aby sa zabezpečil vysoký výťažok produkcie.
Flexibilné prispôsobenie komory
Namáčacie, stripovacie a čistiace komory sú voliteľné od 1 do 2 sád. Konfigurácie môžu byť prispôsobené pre malé-výskumné dávky a vysokovýkonné{4}}výrobné linky.
Chemický recyklačný systém
Viac{0}}stupňová filtrácia umožňuje regeneráciu a opätovné použitie stripovacej kvapaliny. Znižuje spotrebu chemikálií a prevádzkové náklady a zároveň dosahuje ekologickú-výrobu.
Aplikácie
- Pokročilé balenie
- MEMS zariadenia
- Výkonové polovodičové zariadenia
- RF integrované obvody
- Polovodičová optika
- Optické komunikačné komponenty
- Laboratóriá univerzity a výskumného ústavu
Parametre
|
Položka |
Špecifikácia |
|
Model |
Séria AST |
|
Procesná funkcia |
Fotorezistový pás, kovový zdvih-vypnuté |
|
Podporované substráty |
Si, sklo, zafír, GaAs, InP, GaN, SiC, LT, LN |
|
Konfigurácia komory |
1-2 namočenie, 1-2 odstraňovač, 1-2 čistenie (voliteľné) |
|
Kontrola častíc |
Menšie alebo rovné 20ea@0,2 μm |
|
Miera odstraňovania kovov |
>99% |
|
Rýchlosť odstránenia PR |
>99% |
|
Rozmer (3-komorový) |
2230 × 1980 × 2450 mm (Š×H×V) |
|
Rozmer (6-komorový) |
3040 × 1980 × 2760 mm (Š×H×V) |
|
Režim spracovania |
Automatické, sušenie-v suchu- |
|
Chemický systém |
Filtrácia a recyklácia stripovacej kvapaliny |
FAQ
FAQ
Otázka: Aké druhy substrátov zvládne zariadenie na odstraňovanie fotorezistu?
Odpoveď: Podporuje Si, Glass, Sapphire, SiC, GaN, GaAs, InP, LN a LT. Na vyhodnotenie receptúry uveďte materiál substrátu a veľkosť plátku.
Otázka: Čo znamená sušenie v suchu?
Odpoveď: Oblátky sa vkladajú do zariadenia v suchom stave. Namáčanie, stripovanie, čistenie a sušenie dusíkom sa vykonáva vo vnútri zariadenia. Oblátky sa vykladajú úplne suché. Žiadna ručná manipulácia s mokrými doštičkami, čo výrazne znižuje riziko kontaminácie.
Otázka: Môže sa stripovacia kvapalina znovu použiť?
A: Áno. Zariadenie na odstraňovanie fotorezistu je integrované s viacstupňovou filtračnou cirkulačnou slučkou. Životnosť chemikálií závisí od výrobnej kapacity a koncentrácie kovových zvyškov. Systém monitoruje chemický stav a upozorňuje operátorov na výmenu.
Otázka: Aký je rozdiel medzi týmto mokrým zdvíhacím nástrojom a plazmovým popolovačom?
Odpoveď: Toto zariadenie vykonáva proces mokrého chemického zdvíhania. Je určený na odlepenie kovu a odstraňuje prebytočný kov spolu s fotorezistom. Plazmový popol je suchý proces hlavne na popolovanie fotorezistom a nie je vhodný na odlepovanie hrubých kovov.
Otázka: Je k dispozícii malá dávková verzia zameraná na laboratórium?
A: Áno. Podporuje sa flexibilný výber komory. Kompaktná konfigurácia s 1 namáčacím +1 stripperom +1 čistou komorou je k dispozícii pre účely výskumu a vývoja, zatiaľ čo viackomorová verzia slúži na hromadnú výrobu.
Otázka: Aký výnosový výkon môžeme dosiahnuť?
Odpoveď: Podľa optimalizovaných receptúr je počet častíc menší alebo rovný 20ea@0.2μm, rýchlosť odstraňovania kovu a rýchlosť odstraňovania PR sú obe vyššie ako 99 %. Skutočný výťažok je tiež ovplyvnený litografiou a procesmi nanášania kovov. Poskytujeme technickú podporu pri ladení procesov.
Populárne Tagy: fotorezist a zariadenia na odstraňovanie kovov, Čína výrobcovia fotorezistov a zariadení na odstraňovanie kovov, dodávatelia


