ZHRNUTIE
Výber bezmaskového litografického (priameho{0}}zápisu) systému je jedným z najstrategickejších rozhodnutí pre moderné čisté priestory. Zatiaľ čo technológia bez masky eliminuje obstarávacie náklady na fyzickú fotomasku (šetrí tisíce dolárov za revíziu) a skracuje cykly obrátky návrhu z týždňov na minúty, výber zariadenia často trpí zásadným nepochopením technických špecifikácií.
Procesní inžinieri a tímy obstarávania často hodnotia stroje len na základe jedného údaja o „minimálnej veľkosti prvku“ v údajovom liste dodávateľa. Vo fyzike fotolitografie však izolovaný kritický rozmer (CD) a hustá periodická výška minimálnej čiary/priestoru (L/S) predstavujú úplne odlišné optické režimy:
• Kritická dimenzia (CD) definuje najužšiu izolovanú vlastnosť (ako je izolovaná brána tranzistora alebo kontaktný prúžok), ktorú môže optický systém vystaviť fotorezistu.
• Minimálny riadok/priestor (L/S) definuje najmenšie opakujúce sa 1:1 riadkové a priekopové periodické pole (ako sú husté optické mriežky alebo prepojovacie zbernice s vysokou{2}}hustotou), ktoré systém dokáže vyčistiť bez premostenia, scummingu alebo skreslenia blízkosti.
Stroj schopný tlačiť 0,4 μm izolované CD môže vyžadovať minimálnu čiaru/medzeru 0,8 μm pri vzorovaní hustých periodických polí v dôsledku efektov optickej blízkosti leteckých snímok, prekrývania{2}} dávok lúčov a odolnosti voči prahovým hodnotám kontrastu. Naopak, špecializované optické systémy navrhnuté pre symetrickú moduláciu 1:1 dokážu rozlíšiť 0,5 μm CD súčasne s 0,5 μm riadok/priestor.
Táto príručka poskytuje prísny technický rámec na vyhodnotenie bezmaskových litografických systémov Nice{0}Tech (MLM 100, MLM 200, MLM 400 a MLM 500) podľa presnej geometrie vášho zariadenia, odolnosti voči chémii, hĺbke zaostrenia (DOF) a požiadavkám na priepustnosť čistých priestorov.
1. ÚVOD: PREČO GEOMETRIA diktuje VÝBER VYBAVENIA
Bezmaskové litografické systémy (známe aj ako litografia s priamym-zápisom, projekcia pomocou digitálnych mikrozrkadiel [DMD] alebo modulátor priestorového svetla [SLM]) v čistých priestoroch mikrovýroby zmenili rýchle prototypovanie, výrobu zložených polovodičov a nízko-až{2}}stredne objemovú výrobu. Odstránením fyzického chrómu-na-kryštálových fotomaskách môžu tímy inžinierov opakovať dizajnové rozloženia (súbory GDSII alebo OASIS) v reálnom čase.
Výber správneho stroja si však vyžaduje pozrieť sa za tvrdeniami povrchového{0}}marketingu. Keď sa potenciálni kupujúci pýtajú na možnosti zariadenia, najčastejšou otázkou je jednoducho: „Aké je rozlíšenie tohto stroja?“
V produkčnej litografii „rozlíšenie“ nie je jedno číslo. Optický stroj sa správa odlišne pri vystavení jednej izolovanej čiary v porovnaní so stovkami susedných paralelných čiar vzdialených od seba mikrometre. Výber konfigurácie zariadenia na základe izolovaného disku CD, keď vaše zariadenie vyžaduje husté čiary mriežky, nevyhnutne vedie k zlyhaniu procesu-s následným premostením čiar, odporovými základňami alebo zrútenými pomermi strán. Naopak, príliš{4}}špecifikovanie systému pre husté sub-pol-mikrónové linky, keď vaše zariadenie obsahuje iba 1,5 μm smerovacie stopy, zvyšuje zbytočné kapitálové výdavky a drasticky znižuje priepustnosť plátkov.
Ak chcú kupujúci uskutočniť informovanú kapitálovú investíciu B2B, musia rozobrať fyzické rozdiely medzi CD a riadkom/priestorom, namapovať ich priamo na špecifikácie zariadenia dodávateľa a vyhodnotiť základné optické kompromisy.
2. HLAVNÉ ROZLIŠENIE: IZOLOVANÉ CD VS. HUSTÁ ČIARA/MIESTA
Pochopenie toho, prečo nástroje optického priameho{0}}zápisu hlásia rôzne hodnoty pre izolované CD a hustú čiaru/priestor, si vyžaduje preskúmanie fyziky tvorby leteckých snímok, efektov optickej blízkosti a chémie fotorezistu.
2.1 Čo je kritická dimenzia (CD)?
V metrológii polovodičov sa kritický rozmer vzťahuje na rozmerovo najcitlivejší geometrický prvok v rámci integrovaného obvodu alebo zariadenia MEMS. CD zvyčajne označuje izolovanú funkciu:
• Izolovaný hradlový prst na nitride gália (GaN) High -Elektrón- tranzistore mobility (HEMT).
• Izolovaný optický vlnovodový hrebeň v integrovanom fotonickom obvode.
• Izolovaný kontaktný otvor alebo konzolový záves v senzore MEMS.
Pri exponovaní izolovanej čiary v systéme bez masky koncentruje optický mechanizmus expozičnú energiu na úzky pás fotorezistu. Pretože v bezprostrednej blízkosti nie sú žiadne priľahlé exponované vzory, rozptýlené rozptýlené svetlo (difrakčné bočné-laloky) sa neškodne rozptýli do tmavého poľa. Presnou kalibráciou expozičnej dávky, numerickej apertúry a času vyvolávania môže moderný systém priameho-zápisu dosiahnuť pozoruhodne jemné izolované hodnoty CD-často až 0,4 μm.
2.2 Čo je minimálny riadok/priestor (L/S)?
Naproti tomu minimálna čiara/priestor označuje husté pole striedajúcich sa čiar a medzier, zvyčajne konfigurovaných v pomere rozstupov 1:1 (rovnaká šírka čiary a priekopa):
• Optické difrakčné mriežky, fotonické kryštály a laserové zrkadlá s distribuovanou spätnou väzbou (DFB).
• Biosenzory a polia mikroelektród (MEA) s vysokou-hustotou interdigitovaných elektród (IDE).
• Hustá rozteč pokovovania a vedenie zberníc v pokročilom balení.
Keď optický stroj premieta viacero blízko umiestnených lúčov alebo modulovaných mikrozrkadlových pixelov, svetelné vlny zo susedných čiar sa prekrývajú v dôsledku optickej difrakcie. Tento optický presluch vytvára zvýšenú "intenzitu pozadia" vo vnútri neexponovanej priekopy medzi čiarami.
Optický kontrast leteckého obrazu je definovaný funkciou prenosu modulácie (MTF):
Kontrast=(I_max - I_min) / (I_max + I_min)
Keď sa výška tónu sprísňuje, I_min (intenzita v tmavom priestore) stúpa výrazne nad nulu kvôli efektom optickej blízkosti. Ak kontrast leteckého obrazu klesne pod prah chemického kontrastu fotorezistu, fotorezist nedokáže rozlíšiť medzi exponovanou čiarou a neexponovanou priekopou. To spôsobuje klasické chyby v čistých priestoroch:
• Odolať premosteniu: Nedokončený vývoj, keď sa susedné línie spájajú.
• Resist Scumming: Zvyšková fotorezistentná špina zostávajúca v podlahe výkopu.
• Pattern Collapse: Mechanické zlyhanie vysoko{0}}pomeru{1}}hustotných línií rezistu počas sušenia rozpúšťadla.
2.3 Prečo MLM 200 dosahuje 0,4 μm CD, ale 0,8 μm riadok/priestor?
Skvelým príkladom tohto fyzického kompromisu-je model MLM 200 od Nice{1}Tech:
• Kritický rozmer (izolovaný): 0,4 μm
• Minimálna čiara/medzera (hustý 1:1): 0,8 μm
Tento profil parametrov je bežný vo vysoko presnej{0}}litografii s priamym{1}}zápisom. MLM 200 využíva zaostrený optický doručovací engine schopný zapisovať ultra-jemne izolované prvky až do veľkosti 0,4 μm. Pri umiestňovaní čiar vedľa seba-{8}}v hustej mriežke 1:1 však prelínanie optickej blízkosti vyžaduje minimálny rozostup 0,8 μm, aby sa zabezpečil dostatočný optický kontrast (I_max verzus I_min) na úplné vyčistenie priekopy bez premostenia.
MLM 200 je optimálny pre vývojárov vysokofrekvenčných zariadení, ktorí vytvárajú 0,4 μm GaN HEMT brány so širokým odtokovým -odtokom zdroja (2 μm až 5 μm). Ak sa však ten istý vývojár pokúsi vytlačiť 0,4 μm / 0,4 μm hustú mriežku (0,8 μm plný rozstup), optický kontrast sa zníži, čo povedie k odolnosti proti premosteniu, pokiaľ nie je zvolený optický systém špecificky optimalizovaný pre husté polia 1:1.
2.4 Prečo MLM 500 dosahuje 0,5 μm CD a symetrický 0,5 μm riadok/priestor?
Naproti tomu funkcie MLM 500 Nice-Tech:
• Kritický rozmer (izolovaný): 0,5 μm
• Minimálna čiara/medzera (hustý 1:1): 0,5 μm
MLM 500 obsahuje projekčný systém s vysokou-numerickou{2}}apertúrou (vysoká-NA) spárovaný s pokročilou moduláciou priestorového svetla a kompenzáciou okrajov sub{4}}pixelov. Táto optická konfigurácia zachováva vysoký kontrast MTF aj pri úzkych optických frekvenciách, čo umožňuje prudký pokles intenzity svetla v tmavých oblastiach. Výsledkom je, že husté čiary a medzery v pomere 1:1 môžu byť symetricky rozlíšené až na 0,5 μm bez scummingu alebo premostenia.
3. MATRIX TECHNICKÉHO VÝBERU: PEKNÁ-TECHNICKÁ BEZMASKOVÁ LITOGRAFIA
Nice-Tech vyrába štyri špeciálne modely bezmaskovej litografie, z ktorých každý je navrhnutý pre špecifické výrobné oblasti a geometrické profily. V tabuľke nižšie sú uvedené oficiálne technické špecifikácie:
=================================================================================================================
Model CD (izolovaný) Min. riadok/priestor (1:1) Primárna optická doména Zameranie na čistú miestnosť
=================================================================================================================
MLM 100 0.8 μm 1,0 μm Balanced High-DOF Direct Write General R&D, MEMS, Microfluidics
MLM 200 0.4 μm 0,8 μm Jemné-Spot Sub-Mikrónové dodávanie GaN/GaAs RF, Power HEMT, vlnovody
MLM 400 1.0μm 2,0 μm široký-Vysoké pole-Výkonný motor Hrubý odpor, balenie RDL, výkonové integrované obvody
MLM 500 0.5 μm 0,5 μm vysoká-NA symetrický kontrastný motor s hustou optickou mriežkou, MEA, kryštály
=================================================================================================================
3.1 Nice-Tech MLM 100: The Cleanroom Workhorse (CD: 0,8 μm|L/S: 1,0 μm)
MLM 100 je navrhnutý ako všestranná chrbtica pre viac{1}}užívateľské univerzitné nanovýrobné centrá, priemyselné výskumné a vývojové laboratóriá a zariadenia na výrobu prototypov MEMS.
• Geometrický profil: Spoľahlivo rozlišuje izolované prvky až do 0,8 μm a husté periodické čiary až do 1,0 μm.
• Optické charakteristiky: Pracuje s optickou numerickou apertúrou optimalizovanou pre široký rozsah procesu. Poskytuje veľkorysú hĺbku zaostrenia (DOF zvyčajne > 5 μm až 10 μm v závislosti od hrúbky rezistu), vďaka čomu je zhovievavý k topografii povrchu substrátu a miernemu prehnutiu plátku.
• Procesná kompatibilita: Kompatibilné so štandardnými pozitívnymi i{0}}riadkovými / h{1}}radovými novolakovými fotorezistami (ako napríklad AZ 1500, AZ 4562, Shipley S1800 séria) a negatívnymi rezistami (SU-8, KMPR).
• Typické aplikácie: Mikrofluidné prietokové kanály, biomedicínske mikročipy, konzolové akcelerometre, akustické rezonátory a štandardné doštičkové{0}}testovacie štruktúry.
• Odporúčanie pre obstarávanie: Vyberte si MLM 100, ak vaša čistá miestnosť spracováva rôzne projekty, spracováva stredne hrubé rezistory (1,5 μm až 5 μm) a nevyžaduje veľkosť prvkov menšej ako -pol-mikrón.
3.2 Nice-Tech MLM 200: Precision for Sub-mikrónové zariadenia (CD: 0,4 μm|L/S: 0,8 μm)
MLM 200 je účel-vytvorený pre čisté priestory vyrábajúce vysoko-frekvenčné, zložené polovodičové a presné optoelektronické zariadenia, kde sú prvoradé sub-mikrónové izolované funkcie.
• Geometrický profil: Dosahuje kritický rozmer 0,4 μm pre izolované vedenia, brány a kontaktné pásy, s hustotou čiary/priestoru 0,8 μm.
• Optické vlastnosti: Využíva špecializovanú optiku-tvoriacu lúč a presné riadenie dávky expozície na zaostrenie okrajového kontrastu na izolovaných štruktúrach.
• Kompatibilita procesu: Výnimočne funguje s tenkými, vysoko{0}}kontrastnými fotorezistami (hrúbka 0,5 μm až 1,2 μm), ako sú AZ 6112, AZ 703 alebo SPR 700. Vyžaduje prísnejšie ovládanie zaostrenia ako MLM 100.
• Typické aplikácie: T-vzorovanie hradla a hríbového vráta pre zariadenia HEMT s nitridom gália (GaN) a arzenidu gália (GaAs), vysokorýchlostné -fotodetektory, smerovanie optických vlnovodov a sub-mikrónové izolované kovové zdvíhacie-štruktúry.
• Procurement Recommendation: Choose the MLM 200 if your process requires patterning critical isolated gates or lines between 0.4 μm and 0.8 μm without requiring dense periodic arrays below 0.8 μm.
3.3 Nice-Tech MLM 400: Vysoká-priepustnosť a hrúbka-odolného spracovania (CD: 1,0 μm|L/S: 2,0 μm)
MLM 400 je prispôsobený pre zariadenia, ktoré uprednostňujú priepustnosť expozície, spracovanie veľkých{1}}ploch a kompatibilitu s ultra-hrubými fotorezistami.
• Geometrický profil: Konfigurovaný pre 1,0 μm izolované CD a minimálnu čiaru/medzeru 2,0 μm.
• Optické charakteristiky: Využíva väčšie optické projekčné pole a veľkú -hĺbku--optického sledu zaostrenia. Rozšírená DOF (často > 20 μm až 50 μm v hrubých rezistoch) zaisťuje, že svetlo preniká hlboko cez hrubé fólie bez zhoršenia uhlov bočných stien.
• Výhoda priepustnosti: Pretože každý optický rámček pokrýva širšiu oblasť expozície, časy zápisu doštičky sú podstatne rýchlejšie ako pri nástrojoch na jemné{0}}rozlíšenie. Exponovanie celého 100 mm alebo 150 mm plátku na MLM 400 môže byť dokončené za zlomok času, ktorý vyžadujú sub-mikrónové systémy.
• Procesná kompatibilita: Ideálne pre silno{0}}filmové fotorezisty (10 μm až 100 μm SU-8, AZ 4562, AZ 9260, polyamid, BCB).
• Typické aplikácie: Pokročilé obalové redistribučné vrstvy (RDL), plátkové{0}}balenie na úrovni čipov (WLCSP),-vysokoprúdové výkonové polovodičové prípojnice, mikrofluidné hlavné formy, hrubé galvanizačné formy a hromadné mikroobrábané MEMS.
• Odporúčanie týkajúce sa obstarávania: Vyberte si MLM 400, ak sú vaše vlastnosti väčšie alebo rovné 1,0 μm, váš proces využíva hrubé odolné povlaky alebo je vašou primárnou komerčnou prioritou vysoká priepustnosť plátkov.
3.4 Nice-Tech MLM 500: symetrické rozlíšenie s vysokou-hustotou (CD: 0,5 μm|L/S: 0,5 μm)
MLM 500 je vlajkovou loďou spoločnosti Nice{{1}Tech pre náročnú výrobu mikro-optických, fotonických a hustých periodických snímačov.
• Geometrický profil: Poskytuje vyvážený 0,5 μm izolovaný CD spolu s 0,5 μm hustým 1:1 rozstupom čiar/priestor (1,0 μm plný rozstup mriežky).
• Optické charakteristiky: Kombinuje vysoko{0}}NA projekčnú optiku s pokročilou digitálnou mikrozrkadlovou moduláciou a sub{1}}interpoláciou hrán pixelov. Tento systém potláča difrakčné bočné-laloky a zabraňuje hromadeniu rozptýleného svetla v úzkych výkopoch.
• Procesná kompatibilita: Vyžaduje prísnu kontrolu teploty v čistých priestoroch (±0,5 stupňa) a tenké, vysoko{1}}kontrastné odolné materiály (0,3 μm až 0,8 μm).
• Typické aplikácie: Sub-mikrónové difrakčné mriežky, optické metamateriály, fotonické kryštálové vlnovody, prevodníky akustických vĺn s hustým povrchom (SAW), interdigitálne biosenzory a mikroelektródové polia (MEA).
• Odporúčanie týkajúce sa obstarávania: Vyberte si MLM 500, ak architektúra vášho zariadenia vo veľkej miere závisí od hustých, tesne nahromadených periodických štruktúr v pol-mikrónovej mierke.
4. ODVODENÉ INŽINIERSKÉ OBCHOD-: RÝCHLOSŤ, DOF A ZARIADENIE
Pri výbere medzi MLM 100, 200, 400 a 500 musia inžinieri zvážiť aj tri kritické sekundárne parametre, ktoré priamo ovplyvňujú každodenné operácie v čistých priestoroch:
4.1 Rýchlosť expozície (priepustnosť) vs. rozlíšenie
V každom nástroji na priamu litografiu-zápisu existuje zásadný fyzický kompromis- medzi rýchlosťou expozície a optickým rozlíšením:
• Jemné rozlíšenie (ako v MLM 200 a MLM 500) vyžaduje menšiu veľkosť premietaného pixelu a vyššie zväčšenie, čo znamená, že za sekundu je pri danom výkone svetelného zdroja vystavených menej štvorcových milimetrov plátku.
• Pokojné rozlíšenie (ako v MLM 400) využíva väčšie premietané pixely, ktoré pokrývajú väčšie plochy expozície na digitálny blesk a dramaticky zvyšujú priepustnosť plátkov.
Pravidlo: Nikdy si nekupujte väčšie rozlíšenie, ako vyžaduje architektúra vášho zariadenia. Ak je vaša najužšia kovová čiara 2,5 μm, výber nástroja s hrúbkou 0,4 μm zbytočne predĺži expozičné časy z minút na hodiny na jeden plátok.
4.2 Hĺbka ostrosti (DOF) a hrúbka odporu
Rayleighova rovnica hĺbky ostrosti riadi všetky projekčné systémy:
DOF=k₂ × λ / (NA)²
Všimnite si, že DOF klesá so štvorcom numerickej apertúry. Vysoká -NA šošovka potrebná pre pod-pol-mikrónové rozlíšenie poskytuje úzku hĺbku ostrosti (často < 1,5 μm). Ak sa inžinier pokúsi roztočiť 15 μm hrubý rezist SU-8 na nástroji s vysokou NA, horná časť rezistu môže byť zaostrená, zatiaľ čo spodná časť bude značne rozmazaná, čo spôsobí podrezanie alebo šikmé bočné steny.
• For thick resists (>10 μm): MLM 400 poskytuje potrebnú hĺbku ostrosti.
• Pre štandardné rezisty (1,5 μm až 5 μm): MLM 100 poskytuje optimálnu rovnováhu rozlíšenia a DOF.
• Pre ultra{0}}tenké odolné (< 1.0 μm): The MLM 200 and MLM 500 excel at fine line delineation.
4.3 Zarovnanie vrstvy-na{2}}vrstvu a presnosť prekrytia
Litografický nástroj zriedka funguje izolovane; vzoruje vrstvy na povrchu predtým leptaných alebo metalizovaných štruktúr.
• Optické zarovnanie na vrchnej strane: Všetky modely Nice-Tech MLM sú vybavené kamerami s vysokým -strojovým{2}}videním, ktoré dokážu automaticky rozpoznať základné značky, čím sa dosahuje presnosť prekrytia-po{4}}vrstve zvyčajne v rozmedzí ±0,5 μm až ±0,2 μm.
• Zarovnanie zadnej strany: Nevyhnutné pre MEMS prostredníctvom-dutín plátkov, tlakových senzorov a priechodov napájacieho zariadenia. Ak váš proces vyžaduje obojstrannú-registráciu, informujte sa o konfigurácii prenosovej infračervenej (IR) alebo spodnej -optickej kamery.
4.4 Všestrannosť substrátu a výhody bez masky
Na rozdiel od pevných kontaktných vyrovnávačov alebo redukčných krokovačov, ktoré vyžadujú štandardizované, plátkové{0}}ploché substráty, systémy Nice-Tech bez masky poskytujú univerzálnu kompatibilitu substrátu:
• Veľkosti substrátu: Plné doštičky (2-palcové, 4-palcové, 6-palcové, 8-palcové a 12-palcové), ako aj nepravidelné štiepané fragmenty matrice (až do 5 mm × 5 mm).
• Materiály substrátu: Štandardný kremík, priehľadný tavený oxid kremičitý, kremeň, sklo, nitrid gália (GaN), karbid kremíka (SiC), arzenid gália (GaAs), niobát lítny a flexibilné polymérne substráty.
• Dynamické automatické zaostrovanie: Optické{0}}sledovanie povrchu v reálnom čase automaticky kompenzuje chyby zakrivenia a klinu substrátu, čím zaisťuje konzistentné zaostrenie naprieč zdeformovanými zloženými polovodičovými doštičkami.
5. TESTOVANIE VZORKY PLATKOV A OVERENIE METROLOGICKÉHO SEM
Pred dokončením nákupu investičného vybavenia by sa technickí nákupcovia nikdy nemali spoliehať iba na zverejnené špecifikácie. Podmienky v čistých priestoroch, formulácie odolnosti a chémia vývojky sa v jednotlivých zariadeniach značne líšia.
Nice-Tech dôrazne odporúča potenciálnym zákazníkom, aby pred vystavením objednávky vykonali test vystavenia vzorky plátku. Overovací protokol by mal vyhodnotiť päť základných metrologických parametrov pomocou skenovacej elektrónovej mikroskopie (SEM):
1. Kritická rovnomernosť rozmerov (CDU 3σ): Zmerajte cieľovú CD na minimálne 20 bodoch na doštičke (v strede, v strede, na okraji), aby ste sa uistili, že rozmerová odchýlka je v rozmedzí ±5 %.
2. Vzdialenosť medzi hustými líniami/priestorom: Overte si pomocou priečneho-prierezu SEM, či husté zákopy 1:1 neobsahujú spodné vrstvy, mikro-premostenia alebo stojaté{5}}vlny.
3. Uhol bočnej steny: Potvrďte, že profily bočnej steny fotorezistu presahujú 85 stupňov (alebo zodpovedajú vašim procesným požiadavkám, ako sú retrográdne podrezané profily na zdvíhanie-).
4. Drsnosť okraja čiary (LER) a drsnosť šírky čiary (LWR): Skontrolujte snímky SEM s vysokým -zhora{2}}nadol a overte hladké okraje čiar, ktoré sú kritické pre stratu fotonického vlnovodu a výkon RF brány.
5. Presnosť prekrytia: Vytvorte vzor skúšobného nónia na už existujúcu vyrovnávaciu vrstvu, aby ste overili opakovateľnosť registrácie na celej ploche substrátu.
6. PRE-KONTROLNÝ ZOZNAM OBSTARÁVANIA: ČO PRIPRAVIŤ PRED POŽIADANÍM O PONUKU
Ak chcete získať presnú, prispôsobenú cenovú ponuku a konfiguráciu vybavenia od spoločnosti Nice-Tech, tímy obstarávania a procesného inžinierstva by si mali pripraviť nasledujúci technický kontrolný zoznam:
[1]. Cieľová špecifikácia substrátu:
• Materiál: kremík, kremeň, zafír, GaN, SiC, sklo alebo iné.
• Formát: Priemer plátku (napr. 4-palcové, 6-palcové, 8-palcové) alebo malé štiepané čipy (napr. 10 mm × 10 mm).
• Stav povrchu: Leštený, metalizovaný, priehľadný alebo ohnutý (uveďte oblúk v mikrometroch).
[2]. Požiadavky na geometriu prvkov:
• Minimálny kritický rozmer (izolované vedenie, hradlo alebo kontaktný otvor).
• Minimálny riadok/priestor (požiadavka na hustú výšku poľa).
• Tolerancia kritickej vrstvy (napr. cieľová CD ± 5 %).
[3]. Proces fotorezistu:
• Typ fotorezistu: Pozitívny, negatívny alebo duálny{0}}tón.
• Názov fotorezistu: (napr. AZ 5214E, SU-8 2010, Shipley S1813).
• Cieľová hrúbka filmu: (napr. 0,8 μm, 2,5 μm, 25 μm).
[4]. Požiadavky na zarovnanie a vrstvenie:
• Jednovrstvová expozícia alebo viac{0}}vrstvová registrácia.
• Metóda nastavenia: Optická alebo zadná infračervená (IR).
• Presnosť prekrytia cieľa: (napr. < 0,5 μm).
[5]. Priepustnosť a objem výroby:
• Očakávaný objem oblátok: (napr. 5 oblátok/týždeň pre výskum a vývoj oproti . 50 oblátkam/deň pre pilotnú výrobu).
• Požiadavka automatizácie: Manuálne vkladanie substrátu alebo poloautomatická{0}}manipulácia s kazetami.
[6]. Formát údajov rozloženia:
• Pripravené štandardné dizajnové súbory: GDSII, OASIS, DXF alebo CIF.
7. ZÁVER A ĎALŠIE KROKY: PARTNERSTVO S NICE-TECH
Výber správneho bezmaskového litografického systému vyžaduje vyváženie izolovaného CD, hustú rozstup čiar/priestor, hĺbku zaostrenia, hrúbku rezistu a rýchlosť výroby.
• Ak vaša čistá miestnosť potrebuje všestranného{0}}pracovného koňa pre výskum a vývoj, MLM 100 poskytuje bezkonkurenčnú všestrannosť a šírku procesu.
• Ak sa zameriavate na sub{0}}mikrónové izolované funkcie pre RF a výkonovú elektroniku, MLM 200 poskytuje CD s presnosťou 0,4 μm.
• Ak vaše zariadenie manipuluje s hrubými odolnými materiálmi, pokročilými obalmi alebo vyžaduje maximálnu priepustnosť, MLM 400 je priemyselným štandardom.
• Ak vaše aplikácie vyžadujú tesné 0,5 μm husté 1:1 periodické polia, mriežky alebo fotonické štruktúry, MLM 500 poskytuje symetrickú optickú dokonalosť.
Ste pripravení zhodnotiť svoje návrhy na litografickom systéme Nice-Tech Masless Litography?
Navštívte oficiálnu produktovú stránku Nice{{0}Tech a preskúmajte podrobné špecifikácie stroja:
Kontaktujte náš Senior Application Engineering Team na dmjsemi.com a odošlite svoje testovacie vzory CAD/GDSII na bezplatnú expozíciu plátku vzorky a metrologickú kontrolu SEM. Nakonfigurujeme návrh zariadenia navrhnutý špeciálne pre technický a rozpočtový plán vašej čistej miestnosti.
